哈嘍,大家好~~~我是小編田甜，關(guān)于n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體載流子，n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體這個(gè)很多人還不知道,那么現(xiàn)在讓田甜帶著大家一起來(lái)看看吧！

1、1 硅或鍺晶體本身只電中性的，摻入三價(jià)元素雜質(zhì)后的P型半導(dǎo)體仍然是電中性的。

2、原因是摻入的三價(jià)元素本身也是電中性的（最外層三個(gè)電子；相應(yīng)的，原子核的電量為+3）。

3、所以摻雜后仍然是電中性2 摻入入五價(jià)元素后形成N型半導(dǎo)體。

4、所謂電子多是指“自由電子”多。

5、例如摻入了一個(gè)磷原子，其原子核電量為+5，外層有5個(gè)價(jià)電子，電量為-5。

6、本身是電中性的。

7、但由于硅/鍺晶體的結(jié)構(gòu)所限，只能和周圍的4個(gè)硅/鍺原子形成共價(jià)鍵。

8、這時(shí)，就多余出一個(gè)電子，這叫做自由電子，是可以用來(lái)導(dǎo)電的。

9、3 摻入三價(jià)元素后形成P型半導(dǎo)體，原理同上。

10、空穴是相對(duì)于電子而言的。

11、P型雜質(zhì)如硼，有3個(gè)價(jià)電子，與四周4個(gè)硅/鍺結(jié)合時(shí)少一個(gè)電子，這樣留下的空位叫做空穴。

12、有個(gè)電子過(guò)來(lái)填補(bǔ)了空缺，這個(gè)電子原來(lái)的位置就空出來(lái)了，形成了新的空穴，因此電子和空穴的移動(dòng)方向是正好相反的。

13、實(shí)際上說(shuō)白了就是電子在移動(dòng)。

14、4 雖然P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體都是中性的，但結(jié)合在一起時(shí)，在交界處一邊空穴多，另一邊電子多，所以空穴和電子會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)，向濃度低多方向擴(kuò)散，形成PN結(jié)其實(shí)空穴只是電子移動(dòng)后留下的空位而已。

15、不論什么半導(dǎo)體，之所以呈電中性是因?yàn)殡娮訋У目傌?fù)電荷數(shù)與原子核帶的總正電荷數(shù)始終是相等的具體可以參考模擬電路的教科書，上面有圖，看起來(lái)更易理解。

本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助哦。

　　免責(zé)聲明：本文由用戶上傳，與本網(wǎng)站立場(chǎng)無(wú)關(guān)。財(cái)經(jīng)信息僅供讀者參考，并不構(gòu)成投資建議。投資者據(jù)此操作，風(fēng)險(xiǎn)自擔(dān)。 如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系刪除！