性能暴增30倍!SK海力士正開發(fā)HBM內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)
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8月22日消息,在SK Icheon Forum 2024論壇上,SK海力士副總裁Ryu Seong-su宣布,該公司正計(jì)劃開發(fā)一種新的HBM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),該標(biāo)準(zhǔn)將比目前HBM產(chǎn)品快20-30倍。
Ryu Seong-su表示,公司的目標(biāo)是推出性能大幅提升的差異化產(chǎn)品,以期在HBM市場中取得領(lǐng)先地位。
雖然Ryu Seong-su并未明確指出這一新標(biāo)準(zhǔn)是否為HBM4,但SK海力士的目標(biāo)顯然是在HBM4產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)重大創(chuàng)新。
HBM4的獨(dú)特之處在于它將邏輯和存儲器半導(dǎo)體集成在單個封裝中,這種更新的技術(shù)對于未來的技術(shù)發(fā)展至關(guān)重要。
SK海力士還透露,其下一代HBM產(chǎn)品已經(jīng)吸引了包括蘋果、微軟、谷歌和NVIDIA在內(nèi)的人工智能市場主要科技公司的極大興趣。
此外,SK海力士還表達(dá)了創(chuàng)建其存儲半導(dǎo)體的意向,根據(jù)計(jì)劃,SK海力士和三星都計(jì)劃在2025年中或年底之前發(fā)布各自的HBM4產(chǎn)品,以便及時(shí)集成到下一代產(chǎn)品中,如英偉達(dá)Robin等架構(gòu)。
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